Opus 5.5 智能体发现两种室温磁性半导体候选材料

Opus 5.5 agents 协助发现两种 Luttinger 补偿型室温磁性半导体候选材料。其一是首次设计的五元化合物 YBaMnFeO₅，DFT（HSE06）计算预测其带隙为 2.35 eV，空穴自旋窗口 1.0 eV、电子自旋窗口 1.4 eV，远高于室温热扰动（约 26 meV）；另一种是 1999 年已合成、但其目标性质此前未被预测的已知材料。