台积电展示 BEOL 集成存储技术，并应 NVIDIA 请求评估 3D DRAM

台积电在 2025 VLSI Symposium 展示基于氧化物半导体的 1T1C 存储技术，将存储阵列直接做进逻辑芯片的 BEOL 互连层，测试芯片在 0.75V 下工作，数据保持超过 128ms，随机读写周期低于 8ns，耐久超过 10¹⁴ 次，定位为密度高于 SRAM 的处理器缓存。