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台积电应英伟达要求评估3D DRAM
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AI 综述
2025年VLSI Symposium上，台积电展示了一种基于氧化物半导体的1T1C存储技术，将存储阵列直接集成进逻辑芯片的BEOL互连层。测试芯片在0.75V电压下工作，数据保持时间超过128ms，随机读写周期低于8ns，耐久性超过10¹⁴次，定位为密度高于SRAM的处理器缓存。2026年11月7日有报道称，台积电正应英伟达（NVIDIA）的请求，评估基于该技术生产3D DRAM。目前公开信息仅涉及技术展示与评估阶段，尚无量产或产品落地的进一步消息。
AI 根据报道生成 · 1 小时前更新
最新进展11月7日 21:17
台积电应英伟达请求，评估基于BEOL集成存储技术生产3D DRAM。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
11月7日
- Reddit · r/LocalLLaMA台积电展示 BEOL 集成存储技术，并应 NVIDIA 请求评估 3D DRAM
台积电在 2025 VLSI Symposium 展示基于氧化物半导体的 1T1C 存储技术，将存储阵列直接做进逻辑芯片的 BEOL 互连层，测试芯片在 0.75V 下工作，数据保持超过 128ms，随机读写周期低于 8ns，耐久超过 10¹⁴ 次，定位为密度高于 SRAM 的处理器缓存。
本事件热度走势
当前热度 9·可比范围峰值 10（11月7日 22:00）·近 24 小时可比范围变化 –
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