MemSilicon完成国际首款高密度大容量1Gb RRAM"泰山一号"芯片流片

铭芯启睿（MemSilicon）宣布完成基于1TnR技术路线的首代高密度、大容量RRAM芯片"泰山一号"流片。该芯片采用28nm CMOS工艺和1T4R单元结构，单芯片容量1Gb，密度30Mb/mm²，访问延时小于20ns，并集成片上硬件纠错电路。MemSilicon同时布局嵌入式RRAM IP、高密度大容量RRAM、RRAM与DRAM混合存算三条产品线，核心团队源自中国科学院和复旦大学。