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铭芯启睿完成国际首款1T4R 1Gb RRAM芯片流片
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AI 综述
2026年10月14日，铭芯启睿（MemSilicon）宣布完成首代高密度、大容量RRAM芯片"泰山一号"流片。该芯片采用28nm CMOS工艺和1T4R单元结构，标称单芯片容量1Gb，密度30Mb/mm²，访问延时小于20ns，并集成片上硬件纠错电路。公司同时布局嵌入式RRAM IP、高密度大容量RRAM、RRAM与DRAM混合存算三条产品线，核心团队源自中国科学院和复旦大学。
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最新进展10月14日 14:24
铭芯启睿宣布完成基于1T4R架构的1Gb RRAM"泰山一号"芯片流片，采用28nm工艺。报道时间线
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10月14日
- 量子位 QbitAIMemSilicon完成国际首款高密度大容量1Gb RRAM"泰山一号"芯片流片
铭芯启睿（MemSilicon）宣布完成基于1TnR技术路线的首代高密度、大容量RRAM芯片"泰山一号"流片。该芯片采用28nm CMOS工艺和1T4R单元结构，单芯片容量1Gb，密度30Mb/mm²，访问延时小于20ns，并集成片上硬件纠错电路。MemSilicon同时布局嵌入式RRAM IP、高密度大容量RRAM、RRAM与DRAM混合存算三条产品线，核心团队源自中国科学院和复旦大学。
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